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　　一、基片外觀檢查和吸水率檢測

　　檢查介質(zhì)陶瓷基片是否表面色澤均勻、平整、無裂縫、毛刺等；一同，介質(zhì)陶瓷基片的吸水率應(yīng)當(dāng)處于為0.08％~0.35％ 的范圍內(nèi)。

　　二、清洗陶瓷基片

　　將用于基片清洗的洗片盒子用去離子水洗凈；將陶瓷基片放入洗片盒子中，用無水酒精進(jìn)行清洗。超聲波電壓調(diào)為150±50V，清洗時(shí)間為20±2min，之后用棉簽悄悄擦洗陶瓷基片；再放入超聲波清洗機(jī)中進(jìn)行用清洗劑（濃度為5％）清洗，超聲波輸出電壓調(diào)150±50V，清洗時(shí)間為20±2min，有需要浸沒全部基片；然后，用去離子水清洗20±2min，在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗。清洗結(jié)束后，將基片取出。

　　三、燒結(jié)

　　將全部基片放入高溫爐中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為600±100℃，保溫時(shí)間為60±30min。

　　四、真空濺射

　　設(shè)置濺射參數(shù)，對(duì)濺射機(jī)進(jìn)行腔體加熱，對(duì)濺射機(jī)進(jìn)行腔體加熱的溫度為150℃~400℃?；x用自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)方法，前進(jìn)膜厚致性，選用直流濺射的方法進(jìn)行濺射，一同選用在線監(jiān)測體系，實(shí)時(shí)監(jiān)測濺射膜厚。先濺射過渡層鈦鎢合金靶材，再濺射Au靶材，然后濺射Ni靶材。其間，濺射過渡層鈦鎢合金靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時(shí)間為100s~600s；濺射Au靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時(shí)間為800s~1200s；濺射Ni靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時(shí)間為2800s~3800s。真空濺射完結(jié)后，關(guān)掉加熱設(shè)備，待爐溫冷卻至少8h后，將基片取出。

　　五、熱處理

　　將濺射完結(jié)的基片進(jìn)行真空熱處理，真空度高于10-2pa，真空熱處理溫度為200℃~700℃，熱處理時(shí)間為20~72h。

　　六、切開

　　將平整的陶瓷基片粘接在藍(lán)膜上，設(shè)置主軸的轉(zhuǎn)速和切開速度進(jìn)行切開。其間，主軸轉(zhuǎn)速設(shè)置為26000~34000轉(zhuǎn)/分，切開速度設(shè)置為0.3~0.8mm/s；切開時(shí)先進(jìn)行小樣切開，依據(jù)小樣產(chǎn)品電性能進(jìn)行切開標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)調(diào)整，前進(jìn)產(chǎn)品的命中率。切開后除去邊角料；用酒精脫水，選用70℃~150℃的溫度，烘干時(shí)間設(shè)置為30min。

　　七、分選

　　對(duì)單層芯片電容進(jìn)行外觀、電容量和損耗分選，除去不合格品。

　　八、對(duì)芯片電容進(jìn)行100％溫度沖擊和電壓處理選擇。

　　九、包裝

　　將產(chǎn)品裝入華夫托盤后進(jìn)行入盒包裝。

　　這款單層芯片電容及其制備方法，在傳統(tǒng)制造方法的基礎(chǔ)上增加了基片吸水率的測驗(yàn)，在基片清洗工序后增加了基片燒結(jié)工序進(jìn)一步除去雜質(zhì)，有用選擇了基片質(zhì)量和前進(jìn)了真空濺射工序電極附著力。一同，在真空濺射關(guān)鍵工序中增加了在線測驗(yàn)體系，有用操控了各種資料濺射層厚度，避免了設(shè)備參數(shù)動(dòng)搖帶來影響，前進(jìn)了產(chǎn)品的一致性和可靠性。在陶瓷金屬化過程中，選用全濺射方法，減少了電鍍工序帶來的影響。

       文章源自：廣東芯片電容 http://www.2gj77.com